В скором времени компания Qualcomm запустит разработку новой флагманской однокристальной системы для мобильных устройств - Snapdragon 835. В разработке также примет участие компания Samsung Electronics.
Система Snapdragon 835 построена на основе 10-нм техпроцесса FinFET от Samsung. Применение 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 позволяет уменьшить размеры чипа, что позволит производителям смартфонов и планшетов использовать освободившееся пространство, например, для установки более крупных и емких аккумуляторов.
В октябре этого года стало известно, что Samsung первой в мире начала промышленное производство 10-нм процессоров. В сравнении с нормами 14 нм новая технология позволит на 40% снизить энергопотребление либо на 27% увеличить производительность.
Характеристики CPU и GPU новой SoC представители компании пока не афишируют. Скорее всего, Snapdragon 835 придет на смену Snapdragon 820/821 для топовых мобильных устройств. Известно, что первые гаджеты со Snapdragon 835 ожидаются на прилавках в 2017 году.